Аналитика nand флэш

Аналитика nand флэш

За много лет работы эксперты LSI пришли к пониманию всей важности аналитики сотрудничества с NAND флэш-памятью для увеличения и оптимизации производительности времени ее жизнедеятельности. Вследствие этого в компании создали группу, которая занимается изучением поведения NAND флэш и описанием изюминок сотрудничества с контроллерами LSI. Предлагаю вашему вниманию интервью с специалистом в данной области Биллом Хантом, главным инженером аналитического отдела, которое разрешает лучше осознать, чем занимается несколько.
Смотрите кроме этого: Samsung запускает производство первой в отрасли флеш-памяти 3D V-NAND, имеющей 32 слоя ячеек памяти

Хороший сутки, Хабр!Компания Samsung Electronics заявила о начале массового производства первой в отрасли флеш-памяти 3D V- NAND, имеющей в собственной объемной структуре 32 вертикально сложенных слоя ячеек памяти.Это уже второе поколение флеш-памяти 3D на данный момент-NAND от Samsung. Серийный выпуск чипов первого поколения начался в августе прошлого года, и они складывались из 24-х слоев ячеек памяти.

Все ли NAND флэш однообразны?Само собой разумеется, нет. Спецификации NAND флэш, другие характеристики и производительность разнятся не толькоу различных производителей, они кроме этого отличаются и между моделями одного семейства. Обычно разнятся кроме того чипы одной модели, произведенные в различное время, в особенности на самых первых этапах и потом.

Иногда, производители намерено создают разные модели одного чипа, направленные разным рынкам, к примеру, для пользовательских решений и корпораций. Познание отличия между типами NAND жизненно нужно для построения действенного ответа.Чем чипы NAND отличаются у различных производителей?Существуют два «уровня» отличия между производителями чипов: различия, обусловленные отличием архитектуры, и различия между производителями, применяющими однообразную архитектуру.

У производителей NAND с производственным процессом и разным дизайном отличия кардинальны. Они пребывают в различной распиновке, требованиях к питанию, размещении блоков и страниц, схемах адресации, командах, процедурах восстановления при сбоях чтения и многом втором.Кое-какие производители применяют производственные процессы и схожие дизайны. Но кроме того в этом случае, их продукция может иметь значительные операционные различия.

Каждое устройство может иметь неповторимые особенности, зависящие от настроек при производстве, команды, диагностики. Кроме того при применении стандартных интерфейсов, таких как ONFI и Toggle, нет гарантии однообразной работы. У каждого производителя имеется собственная интерпретация этих стандартов.Каковы различия между чипами NAND различных поколений?Уменьшение геометрии при производстве чипов требует новой архитектуры.

Новая архитектура ведет к трансформациям в работе и спецификациям устройства NAND. Самые громадные трансформации вызываются ростом плотности чипов памяти. К примеру, расположение и размер блоков и страниц должны изменяться, чтобы совладать с новой архитектурой и возрастающей емкостью.

Потому, что ячейки памяти становятся меньше и плотнее, функции обработки неточностей кроме этого должны улучшаться. Растут требования к кодам коррекции неточностей (ECC) и резервным участкам. Кроме этого NAND должны приспособиться к возрастающей скорости появления сбойных блоков. Скорость передачи данных и производительность каждого нового поколения кроме этого обязана возрастать, чтобы удовлетворять потребности пользователей.

Это ведет к трансформациям в спецификациям тайминга интерфейса и добавлению новых функций. В целом, работоспособность NAND ухудшается по мере уплотнения геометрии, и критически необходимо понимать эти трансформации для разработки более замечательных и действенных механизмов ECC.Какие конкретно тесты проводятся в лаборатории флэш-аналитики LSI?Лаборатория флэш-аналитики преследует две цели. Первая — мы интегрируем устройства NAND в SSD с контроллером LSI SandForce, дабы убедиться в том, что они трудятся совместно.

Вторая — мы испытываем устройства NAND, дабы заметить, как флэш-память трудится в течении всего собственного жизненного цикла. Мы проводим тестирования в различных рабочих режимах. Познание поведения конкретно чипов NAND критически принципиально важно для разработки ответов с производительностью и надёжностью, востребованными рынком.Проводятся ли опробования флэш-памяти «за пределами» их паспортного жизненного цикла?Да.

Поставщики NAND не всегда делятся методиками и результатами их тестов на выносливость, исходя из этого мы вынуждены собирать эти сведенья самостоятельно. В большинстве случаев, мы проводим цикли записи/стирания , пока уровень неточностей не достигнет большой величины, либо произойдёт фатальный сбой. Кроме этого мы измеряем и другие параметры, к примеру, количества резервирования.

Осознавать поведение памяти по мере старения легко нужно чтобы прогнозировать, как будут вести себя устройства в сценариях настоящего мира.

Случайная статья:

Flash Nand Samsung Un32d5500 Un40d5500


Похожие статьи:

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Обсуждение закрыто.