Intel, совместно с micron technology, уже в этом году, совершат революционный прорыв в энергонезависимой памяти

Intel, совместно с micron technology, уже в этом году, совершат революционный прорыв в энергонезависимой памяти

Апрель 17, 2014

intellcity

Intel и Micron Technology официально представили новую разработку энергонезависимой памяти 3D XPoint, которая совершит переворот на рынке вычислительных устройств. 3D XPoint способна расширить (до 1300 раз) скорость работы устройств разного типа, сервисов и приложений, которым нужен стремительный доступ к громадным количествам данным. В первый раз за 26 лет память 3D XPoint разрешает создать принципиально новую категорию устройств для хранения данных, поменяв разработку NAND.
Смотрите кроме этого: Intel Optane: новый бренд для революционной памяти 3D XPoint

18 августа на форуме IDF 2015 компания Intel совершила презентацию разработки 3D XPoint. Память нового типа выпустят в 2016 году, а продукты покажутся на рынке под маркой Intel Optane. Это будут и модули DIMM для высокопроизводительных совокупностей Xeon, и SSD-накопители формата PCIe для ноутбуков, серверов и персональных компьютеров.В последних числах Июля Intel совместно с Micron Technology заявили о революционном прорыве в энергонезависимой памяти.

3D XPoint на порядок стремительнее и надёжнее если сравнивать с памятью NAND.

Эта разработка до 1.000 раз стремительнее и имеет до 1.000 раз более долгий срок работы если сравнивать с памятью NAND. Помимо этого, она имеет на порядок более высокую плотность размещения компонентов если сравнивать с DRAM памятью.Особенности разработки 3D XPoint: Крестообразная структура:Перпендикулярные проводники объединяют 128 млрд ячеек памяти. Любая ячейка памяти хранит 1 бит данных.

Это разрешает добиться высокой скорости плотности и высокой работы.Многослойность: Кроме размещения в крестообразной структуре, ячейки памяти размещаются в пара слоев. Изначальная разработка разрешает хранить 128 ГБ на один кристалл для двух слоев памяти. Будущие поколения разработки разрешат расширить количество слоев для масштабирования емкости.Применение селектора: DRAM память применяет тразистор в каждой ячейке памяти, что делает ее большой и дорогой.

чтение и Доступ либо запись в ячейках памяти 3D XPoint осуществляются методом трансформации значения напряжения, направляемого на любой селектор. Это разрешает отказаться от необходимости применения транзисторов, что увеличивает емкость и снижает цена.Быстродействующие ячейки: Благодаря маленькому размеру ячеек, быстродействующим селекторам, быстрой записи и низкой задержке, ячейки смогут переключать состояния стремительнее, чем каждая вторая разработка энергонезависимой памяти.Преимущества 3D XPointТехнология 3D XPoint объединяет в себе все преимущества разработок производства памяти, дешёвых на рынке.

Она отличается высокой плотностью и производительностью размещения компонентов, доступной ценой и низким энергопотреблением. Значение задержки твёрдых дисков и памяти NAND измеряется в микросекундах, а памяти 3D XPoint — в наносекундах (одна миллиардная часть секунды).Преимущества высокой скорости 3D XPoint смогут повысить комфорт и простых пользователей при работе с ПК.

Те, кто знает, какого именно это, ожидать 15 часов, пока Autodesk Maya кэширует файл размер в 400 Гб, оценят новый вид энергонезависимой памяти 3D XPoint, талантливой трудиться в 1000 раз стремительнее простых SSD с NAND памятью. Кроме этого, в Intel считают, что новый вид памяти, сделает прорыв в области распознавания паттернов разных нейро сетей, в области обработки и хранения огромного количества данных, в области геномики, и других областях«Одной из самые важных неприятностей в мире современных вычислительных разработок есть долгое время, которое требуется процессору для доступа к данным в совокупности хранения, — сообщил Марк Адамс, глава фирмы Micron. — Новый класс энергонезависимой памяти представляет собой революционную разработку, которая снабжает стремительный доступ к громадным количествам данных и разрешает создать принципиально новые области применения»АрхитектураИнновационная безтранзисторная архитектура формирует трехмерную перекрестную структуру, на которой ячейки памяти размещаются на пересечении числовых разрядных линий и линий, что разрешает в свободном порядке делать адресацию. В следствии, эти смогут записываться и считываться маленькими размерами, что ведет к более стремительному и действенному процессу чтения/записи.

Первые поставки 3D XPoint Пробные поставки продукции на базе разработки 3D XPoint для отдельных клиентов начнутся уже в текущем году. Помимо этого, Intel и Micron разрабатывают собственную продукцию на базе данной технологии.Презентация разработки памяти 3D XPoint

Intel, совместно с micron technology, уже в этом году, совершат революционный прорыв в энергонезависимой памяти

Случайная статья:

Company Profile: Micron Technology Inc. (NYSE:MU)

Похожие статьи:

Закрепленное видео

Свежие

Записи

Рубрики