Обзор технологий энергонезависимой памяти: заменяем флэш?

Обзор технологий энергонезависимой памяти: заменяем флэш?

Куда направляется флэш?

Сейчас без флэш-памяти уже никуда. Само собой разумеется, существуют кое-какие устройства, в которых разработка с 16-летним стажем уже не употребляется. Но в том месте, где нужна компактная, стремительная и энергонезависимая память, в том месте без флэш-разработки уже не обойтись.

Тут как пример возможно привести большая часть цифровых сотовых технологий и камер, и, само собой разумеется, флэш-брелоки. Ёмкости флэш-карточек растут, практически, не по годам, а по часам. В памяти ещё свежо появление гигабайтных карточек, а сейчас уже возможно приобрести Compact Flash на 8 Гбайт по цене чуть меньше $1000.

Главные производители флэш-памяти Samsung, Toshiba, Spansion (AMD/Fujitsu), Intel и ST Microlelectronics из квартала в квартал приобретают солидный рост прибыли. Не обращая внимания на довольно громадный возраст флэш-разработки, этот рынок до сих пор начинается, исходя из этого количества продаж и производства угадать сложно.

Но, не обращая внимания на это, производители и разработчики уже деятельно обсуждают преемника разработки флэш.

Дело в том, что в случае если сейчас требования рынка удачно удовлетворяются, то на следующий день обстановка может измениться в нехорошую сторону. Неизменно потребность в скоростной памяти, поскольку периферийные устройства также развиваются. Исходя из этого от флэш-памяти требуется всё ёмкость и большая скорость.

Обширно распространено вывод, что флэш-память будет достаточно хороша для ближайшего будущего, но в возможности её однако направляться заменить. По крайней мере, таково вывод индустрии. У флэш-памяти показывают такие не сильный места, как ограниченная масштабируемость (другими словами предстоящее уменьшение размера ячейки не оправдывает себя), скорости записи через чур мелки, а число циклов записи однако ограничено.

Давайте взглянуть на современное состояние вторых новейших технологий — магниторезистивной памяти (magneto-resistive RAM, MRAM), памяти на аморфных полупроводниках (ovonics unified memory, OUM) и памяти на нанокристаллах (nanocrystals) — и попытаемся спрогнозировать будущее памяти до конца текущего десятилетия.

развитие и История

Intel стала первой компанией, изготовившей флэш-память и выпустившей её на рынок много.

Во второй половине 80-ых годов двадцатого века был показан флэш-чип на 256 кбит, что имел размеры коробки из-под обуви. Intel показала преимущества флэш-памяти посредством раннего прототипа цифрового диктофона, что с лёгкостью смог заполнить данный количество.

Изобретение Intel было названо NOR-флэшем, причём эта разработка есть производной чипов EPROM и EEPROM с интерфейсом SRAM.

NOR-флэш имеет медленные, по сегодняшним стандартам, удаления и скорости записи, да и число циклов записи довольно мало (около 100 000). Подобная флэш-память употребляется в том месте, где необходимо практически постоянное хранение данных с весьма редкой перезаписью. К примеру, для хранения ОС цифровых мобильных телефонов и камер.

Память NOR-флэш от Intel.

В отличие от прошлых разработок, флэш-память разрешила удалять либо записывать данные в различные участки за один ход, что стало причиной значительному приросту скорости. Но самым главным преимуществом таковой памяти, само собой разумеется, есть сохранение данных без подачи энергии.

Второй тип флэш-памяти был изобретён во второй половине 80-ых годов XX века компанией Toshiba и назван NAND-флэш.

Новая память должна была стать менее дорогой и более скоростной альтернативой NOR-флэш. Toshiba кроме этого стала первой компанией, применявшей слово флэш (с английского flash переводится как вспышка либо сверкание). Если сравнивать с NOR, разработка NAND обеспечила вдесятеро большее число циклов записи, и более высокую скорость как записи, так и удаления данных. Да и ячейки памяти NAND имеют вдвое меньший размер, чем у памяти NOR.

В следствии NAND-флэш даёт явное ценовое преимущество: меньший размер ячейки ведет к тому, что на определённой площади кристалла возможно размещать больше ячеек памяти.

Память NAND-флэш от Infineon.

По данным разработчика M-Systems, память NAND-флэш удаляет эти всего за четыре миллисекунды, а NOR-флэш на эту операцию требуется пять секунд. Обстоятельством есть громадной размер блока NOR — от 64 до 128 кбайт. NAND, наоборот, применяет блок меньшего размера — между 8 и 32 кбайт.

Из-за лучшей производительности в карточках памяти (CompactFlash, SmartMedia, SD, MMC, xD и т.д.) в большинстве случаев употребляется NAND-флэш, то же самое возможно сообщить и про USB-брелоки.

Громадный бизнес: прибыльный рынок флэш-памяти

Кроме того стремительного взора на сегмент флэш-памяти в полупроводниковой индустрии хватит, чтобы выяснить его развивающийся темперамент. Тут нет чётких фаворитов, и ежеквартально происходит новая битва за рынок, время от времени приводящая к трансформации расстановки сил.

Приблизительно годом ранее Intel в первый раз было нужно покинуть собственный трон лидирующего производителя флэш-памяти из-за стратегической неточности, причём компания ушла аж на четвёртое место сзади Samsung, Toshiba и Spansion (AMD/Fujitsu). Intel постаралась вернуть собственные позиции фаворита рынка, заставляя собственных клиентов заключать долгосрочные соглашения. Но постоянные клиенты, предпочли её соперников.

Во втором квартале этого года Intel однако смогла пара улучшить прибыли.

Компания AMD-Spansion, изготавливающая как NAND-, так и NOR-флэш, обогнала Intel в первой половине этого года, став наибольшим производителем прибыльной памяти NOR ($846 миллионов против $785 миллионов). Компания за первое полугодия смогла получить на флэш практически $1,3 миллиарда, что составило больше половины дохода родительской компании ($2,5 миллиарда). Обе компании, Intel и AMD, смогли расширить собственные рыночные доли за последние полгода, тогда как у Samsung и Toshiba они уменьшились.

По сентябрьскому отчёту iSuppli рынок флэш-памяти выглядит следующим образом:

iSuppli предполагает, что количество доходов рынка флэш-памяти в текущем году будет равна примерно $16,6 миллиарда, что приблизительно на 46% больше, чем в 2003 году ($11,64 миллиарда). Главными движущими силами для того чтобы роста, кроме всего другого, есть рост количеств памяти у цифровых камер, и повышение числа USB-брелоков и компактных MP3-плееров. Для 2005 года ожидается рост рынка до $17,5 миллиарда (рост 5%).

Процентный рост между 2005 и 2008 ожидается менее драматичный: к 2008 году iSuppli ожидает повышение рынка до $22,4 миллиарда.

Случайная статья:

На смену FLASH и DRAM: энергонезависимая память


Похожие статьи:

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Обсуждение закрыто.