Предстоящее развитие процессоров может "настойчиво попросить" отказа от кремнияТема Интернациональной конференции по полупроводниковым схемам (International Solid-State Circuits Conference) в текущем году звучала как «мелкие чипы для громадных данных». Мероприятие проходило с 22 по 26 февраля в Сан-Франциско, штат Калифорния, США. Intel систематично участвует в ISSCC, не стал исключением и 2015 год. Для гигантов размера Intel и AMD не есть необыкновенным сделать серьёзное объявление именно там.

Множество докладов говорили о внутренних изучениях Intel, каковые затрагивали возможно вероятные для настоящего применения разработки, включая предстоящее уменьшение техпроцесса микросхем. В частности, затрагивалась такая волнующая всех тема, как атака закона Мура 10 нанометрами.
Смотрите кроме этого: Intel Curie: контроллер, дабы надеть на себя

Проектировать и создавать носимую электронику сейчас станет существенно проще — по окончании того, как компания Intel представила на выставке CES готовую модульную платформу Curie. Как раз ее демонстрирует вам CEO Intel Брайан Кржанич. Устройство выполнено в форме пуговицы (намек, определенно!) и включает в себя процессор Intel Quark, 384 кб флеш памяти, комплект сенсоров, Bluetooth модуль и совокупность управления едой.

Intel гордится покорением 14 нанометров. Это достижение далось с большим трудом и задержками в 6—9 месяцев в зависимости от класса продукта, но компания однако смогла добиться превосходящих Samsung и TSMC показателей. Intel уверен в том, что лишь им удалось добиться настоящих 14 нм: об этом говорят меньшие размеры отдельных другие характеристики и элементов, например, размер ячейки SRAM.Intel предвещает, что и при переходе на 10 нм будут улучшения, но конкретных сроков начала поставок не именовалось.

В случае если ориентироваться на прошлые замыслы, то 10 нанометров покажутся на прилавках в конце 2016 либо начале 2017 года. 10 нм и предстоящие уменьшения будут даваться весьма не легко. Intel обучается на собственных неточностях при работе над 14 нм и сохраняет надежду избежать тех же граблей при перемещении к 10.Вопрос кроме этого касался себестоимости процесса. На графике от Марка Бора возможно заметить, как происходит удешевление отдельных элементов.

Возможно подметить, что 14 нанометров продемонстрировали пара более большое снижение цены, чем это ожидалось. Это было достигнуто за счёт использования процесса масок и оптимизации литографии. И пускай у 10 нанометров шагов применения масок будет ещё больше, задержек, каковые мы замечали в ситуации с 14, не будет. В Intel осознали, что задержки 14 нм были позваны возросшим числом проверок и тестов.

В следствии коррекции тестовые мощности техпроцесса 10 нанометров трудятся в полтора раза стремительнее, чем при с 14 нм. Пускай и постоянные затраты 10 нанометров будут выше, но цена на транзистор снизится с применением тех же разработок литографии.

Intel разглядывает глубочайший ультрафиолет, но не желает применять его без крайней необходимости из-за более медленного процесса его развития, чем это ожидалось.Также, исследовательская несколько Intel поведала о применении разработок 3D (слой за слоем) и 2.5D (отдельные слои на подложке). Эти ответы смогут разрешить уместить больше транзисторов: сократить в некоторых случаях энергопотребление (2.5D) либо выстроить более компактные конструкции (3D).

В частности, Intel разглядывает сценарии, в которых логические цепи различных способов производства укладываются слоями вместо реализации аналогичного на одном слое. Такое может показаться в мобильных устройствах — смартфонах, планшетах.Самым занимательным развитием разработок 14 нанометров возможно SRAM: Intel достигла 84-мегабитного хранилища с самым мелким в мире размером ячейки — 0,050 мкм?. Это 14,5 мегабит на квадратный миллиметр.

Если сравнивать с 22 нм упало нужное напряжение: 0,6 В для 1,5 ГГц, 1 В для 3 ГГц.Intel удалось достигнуть весьма экономной передачи данных: 10 гбит/с "настойчиво попросили" только 5,9 пикоджоулей на бит10 нанометров потребуют новшеств, а переход к семи и вовсе будет вероятен лишь с новыми материалам и процессами. Но ничего конкретного названо не было, не смотря на то, что обсуждались III-V полупроводники.

Речь заходит о комбинациях элементов третьей группы периодической таблицы (алюминий, галлий, индий) с элементами пятой группы (азот, фосфор, мышьяк, сурьма). Подвижность электронов у них выше, чем у кремния, что разрешает уменьшать размер транзисторов. В Intel начали наблюдать в эту сторону уже пара лет назад, быть может, уже через пара лет ядром компьютеров будет чип на арсениде галлия-индия.Предстоящее продвижение выглядит уже совсем футуристично: вероятны глубочайший ультрафиолет, карбоновые нанотрубки, графен и нанонитиПо материалам Ars Technica, ExtremeTech и AnandTech.

Случайная статья:

• Обзор dexp ixion x 4.7’’: не в тягость ни руке, ни карману
• Обзор смартфона prestigio multiphone pap5430

Что дает переход на Skylake? Что будет после 7 нм? Intel в iPhone 7? Эксклюзив с IFA 2015

Похожие статьи:

• Intel показала ещё два теста 3d xpoint

  18 августа на форуме IDF 2015 компания Intel в первый раз показала память на технологии 3D XPoint (кросспойнт). Уже в следующем году накопители с…

• 14 Нанометров для настольных пк: обзор процессора intel core i7-5775c

  Компания Intel представила очередное обновление чипов с архитектурой Intel Core 5-го поколения. Среди вороха новинок, наконец, показались и долгожданные…

• Intel developer forum 2014: прогрессивные платформы и жизнь без проводов в фокусе intel realsense [idf2014]

  Компания Intel традиционно применяет площадку IDF чтобы поделиться последними наработками в разных сферах. Вице-руководитель и президент подразделения PC…