Новый тип памяти призван обеспечить предстоящий рост производительностиКак вычисляет сама AMD, компания годами определяла новые типы памяти для графических ускорителей, а другая индустрия выступала в роли догоняющего. Это давало продуктам AMD конкурентное преимущество, например, в своё время новшество в виде GDDR5 обеспечило Radeon HD 4870 лидерство по производительности.

В итоге GDDR5 стала стандартом, но с момента её первого появления прошло уже семь лет, и каких-либо фундаментально новых трансформаций не происходило. Следующий прорыв обязан обеспечить стандарт High Bandwidth Memory (память с высокой пропускной свойством). Первый видеоускоритель на его базе может выйти уже через пара месяцев.
Смотрите кроме этого: Первые устройства с помощью Apple HomeKit покажутся уже в июне

В прошлом июне корпорация Apple выпустила приложение HomeKit для управления совокупностью умный дом. По данным The Wall Street Journal, уже в следующем месяце партнёры компании начнут производить оборудование, совместимое с созданной совокупностью, а Apple уже начала сертификацию данных устройств. Совокупность разрешит пользователям руководить бытовым оборудованием, наподобие термостатов, дверных замков и освещения, прямо с iPad либо iPhone.

Работа над HBM началась семь лет назад, другими словами приблизительно тогда же, в то время, когда GDDR5 был полностью готов. Над разработкой трудились те же инженеры, говорит сотрудник AMD Джо Макри. Уже тогда их начал беспокоить факт растущей зависимости неспециализированной вычислительной мощи персональных компьютеров от памяти, и они начали подозревать, что энергопотребление неспешно станет сдерживающим причиной.на данный момент из GDDR5 выжимают всё вероятное.

Для получения дополнительной пропускной свойстве приходится додавать каналы и дополнительные чипы, каковые отъедают пространство на плате и энергию. У всего имеется собственные пределы, и видеокарты последнего поколения демонстрируют их собственными 512-битными интерфейсами. Простое ускорение GDDR5 перестаёт трудиться — в текущем году Samsung начала производство чипов на 8 ГБит/с, что есть улучшением только на 14 % над прошлым максимумом (7 Гбит/с).

AMD уже начала испытывать неприятности с предстоящим ускорением, потому, что увеличение частоты свидетельствует резкий рост энергопотребления.Одним из ответов данной неприятности есть то, чем производители занимались последние несколько десятилетий для энергопотребления и уменьшения стоимости и повышения производительности: интеграция. К примеру, центральные процессоры включили в свой состав множество элементов, от математических сопроцессоров до контроллеров памяти, и в каждом случае были собственные плюсы.Но объединение графических процессоров и памяти — не таковой несложный процесс, растолковывает Макри.

Процессы их производства отличаются так, дабы их объединение на одном чипе стало через чур дорогим. Ответом есть размещение памяти близко к графическому процессору, но на отдельном кристалле. HBM включает в себя размещение нескольких слоёв в 3D-конфигурации (либо, в случае если правильнее, 2,5D).HBM складывается из трёх главных частей: это основной чип (CPU, GPU либо совокупность на кристалле), один либо пара столбиков памяти и кремниевый слой, на котором они расположены — interposer (посредник).

Интерпозер — простой кремниевый чип, сейчас создаваемый по более ветхому техпроцессу 65 нм. Макри растолковал, что роль интерпозера всецело пассивна, у него нет активных элементов, потому, что его единственной задачей есть электрическое соединение дорожек между процессором и памятью. Потому, что это кремниевый чип, он может соединять куда больше элементов, чем простая плата. Как раз интерпозер есть главной подробностью High Bandwidth Memory.

Под интерпозером расположены другие классические элементы, но их задачей есть обмен с шиной PCI Express, вывод на другие интерфейсы и мониторы. Всё общение между видеопроцессором и памятью происходит посредством интерпозера.Интерпозер вызывает громадной интерес, но второй ответственной новинкой есть расположенная слоями память. На осуществляющий контроль работу логический слой уложены четыре слоя фактически памяти.

Пять слоёв подключены друг к другу посредством межсоединений в кремниевой подложке (TSV). По словам Макри, эти слои тонкие, толщина достигает порядка 100 микрометров. В случае если забрать один в руку, то он будет гнуться и развеваться как бумага.И любой из этих слоёв хранения содержит новый тип памяти, намерено созданный для условий работы в HBM.

Память применяет довольно низкое напряжение — 1,3 вольта (у GDDR5 — 1,5), более низкие частоты работы (500 МГц вместо 1750) и имеет меньшую пропускную свойство (1 ГБит/с вместо 7). Всё это компенсируется весьма широким интерфейсом. В первой реализации HBM любой слой памяти общается по двум 128-битным каналам, другими словами любая стопка имеет 1024-битную шину.

В итоге получается массивная 4096-битная память с пропускной свойством порядка 128 ГБ/с.High Bandwidth Memory не показался с нуля. В 2011 году AMD заявила о замыслах сотрудничества с производителем памяти Hynix (сейчас SK Hynix) по реализации и разработке стандарта памяти нового поколения. AMD создала соединения, интерпозер и новый тип памяти.

Hynix создаёт память, а первые образцы интерпозера создавались на мощностях United Microelectronics Corporation. Новый стандарт уже взял одобрение регулирующего индустрию памяти JEDEC. Это указывает, что High Bandwidth Memory может приобрести широкую помощь разными компаниями. С некоторым опозданием HBM попал и в замыслы Nvidia.Кроме того у первого поколения реализации High Bandwidth Memory имеется последовательность преимуществ над GDDR5, и это не только пиковые пропускные свойства.

Как утверждает Макри, GDDR5 разрешает передавать 10,66 ГБ/с на ватт, а у HBM данный показатель равен 35. Энергоэффективность памяти — ответственный показатель, потому, что R9 290X тратит 15—20 % энергии именно на память. Переход на HBM понизит данный показатель более, чем вдвое.Память не только более энергоэффективная, она компактная. Гигабайт в HBM требует 35 мм?, а четыре чипа GDDR5 того же количества занимают 672 мм? площади платы. Исходя из этого HBM разрешит создавать более компактные устройства.

Интерпозер организован весьма действенно, что разрешает сократить неспециализированный размер кристалла. Вероятно кроме того улучшить поток данных в видеоплаты. Суммарно потребуется приблизительно вдвое меньше площади платы, это упростит построение карт с двумя видеопроцессорами.Память эры пост-GDDR поменяет не только видеоускорители, но и APU.

Большее количество каналов сулит меньшее время произвольного доступа. Упрощённая совокупность клокинга и другие небольшие трансформации означают потенциальное сокращение времени отклика. Макри ожидает, что HBM проберётся во многие области компьютерного рынка.У первого поколения реализации HBM имеется ответственный минус: неспециализированный размер памяти может быть около только 4 ГБ. Это мало, в случае если отыскать в памяти, что Titan X имеет втрое больше, 12 ГБ памяти, а у текущего поколения R9 290X те же 4 ГБ.

Кроме того флагманские пределы легко достигнуть при разрешении 4K. Но Макри уверяет, что AMD как-то справится с этим ограничением. Согласно его точке зрения, видеокарты текущего поколения не через чур действенно обращаются с памятью.

Количества памяти заметно увеличивались, исходя из этого в AMD до этого момента не очень сильно вспоминали над их применением.У HBM имеется и другие «детские» неприятности. К примеру, размер микросхем видеопроцессоров растёт, а интерпозер должен быть ещё больше, и цена его производства может быть около непозволительно высоких значений. Мелкий размер HBM будет означать неприятности с охлаждением, каковые уже были в некоторых ранних экземплярах R9 290X.

По словам Макри, не смотря на то, что иллюстрации говорят об обратном, стопки памяти имеют приблизительно ту же высоту, что и видеопроцессор, исходя из этого они увеличивают неспециализированную площадь отвода тепла. Наконец, новая разработка обязана окупиться, и для этого новые ответа должны производиться и продаваться в громадных количествах.В соответствии с утечкам, трёхсотая серия будет представлена 18 июня, а R9 390X продемонстрируют 24 июня.

Утечки фотографий намекают на вероятное жидкостное охлаждение.Макри объявил, что уже на данный момент разрабатывается вторая версия High Bandwidth Memory. Её пропускная свойство вдвое выше, чем у первого поколения, а число слоёв памяти подскочит до восьми. За счёт применения нового техпроцесса количество возрастёт в четыре раза.

Макри уверен, что когда-нибудь число слоёв памяти может вырасти до 16.В первый раз HBM покажется в новом поколении видеоплат AMD. Разные догадки о их будущих чертях дают кое-какие вероятные оценки.

По данным Tech Report, ExtremeTech и AnandTech.

Случайная статья:

• Новая классика: lenovo обновляет thinkpad t, x и w-серии
• Обзор и сравнение двух лучших 3d-ручек: creopop и 3doodler 2.0

What is High Bandwidth Memory? Feat. R9 Fury X

Похожие статьи:

• Каким будет следующее поколение видеокарт

  В случае если стационарный компьютер либо ноутбук ориентирован на требовательные видеоигры и новые, и работу с совокупностями автоматизированного…

• В россии появились первые навигаторы со встроенными радар-детекторами

  Новые модели Pocket Navigator RD-500 и Pocket Nature RD-500, располагающие богатым функционалом, разрешат проложить эргономичный маршрут и избежать…

• Первые смартфоны, которые получат ос android oreo

  Новая мобильная ОС Oreo не так долго осталось ждать покажется на большинстве новых смартфонов, рассчитанных на работу с платформой Android. Но обладатели…