В то время, в то время, когда первые чипы 3D NAND лишь ищут собственный путь на рынок и многие производители NAND все еще улучшают собственные разработки, в ходе развития находятся пара перспективных разработок для памяти нового поколения, каковые собираются вытеснить флеш-память NAND в ближайшие 10 лет.
Смотрите кроме этого: 1 ТераБайт памяти в смартфонах скоро может стать рельностью

Из-за ограниченного количества встроенной памяти в современных смартфонах пользователи не смогут хранить под рукой все собственные файлы, включая коллекцию фильмов, музыки и фотографий. Многие исследователи предлагают способы производства и различные технологии чипов памяти с громадным количеством, но обычно эти способы ещё не подходят для массового производства. Учёные из Университета Райса создали новую разработку изготовления резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM), которая сможет заменить флеш-память.

Одна из самый дающих слово разработок — RRAM (Resistive Random Access Memory) — подобно NAND, есть энергонезависимой, другими словами хранит эти без постоянного обеспечения едой. В этом её принципиальное отличие от DRAM, которой требуется постоянный источник энергии. Пара компаний занимаются разработками в области RRAM, а также гиганты полупроводниковой индустрии наподобие Samsung и SanDisk, но на данный момент как раз американский стартап Crossbar имеет самый продвинутый дизайн.

Компания Crossbar со штаб-квартирой в Санта Клара (штат Калифорния) была основана в 2010 году и взяла более $50 млн финансирования. Корни компании растут их Мичиганского Университета, поскольку основной соучредитель и научный сотрудник проф. Вей Лу (Wei Lu) на данный момент есть доцентом этого университета.

Сейчас команда Crossbar складывается из 40-45 человек, большая часть из которых владеют широкими знаниями в регионах изучения полупроводников и разработки.Самые главные преимущества RRAM над NAND — это долговечность и производительность. В большинстве случаев задержка NAND при чтении образовывает порядка сотен микросекунд, тогда как Crossbar достигли в собственной RRAM-разработке показателей от 50 наносекунд.

Долговечность ячеек может быть около миллионов циклов перезаписи/стирания, не смотря на то, что в ранних прототипах аккумуляторная ориентируется на более консервативные ~100 тысяч циклов.Несколько дней назад на IEDM 2014 Crossbar заявили, что переходят к стадии коммерциализации RRAM. Иначе говоря они уже показали рабочий прототип в кремнии, и доказали, что дизайн возможно перенесен на коммерческие фабрики для массового производства, исходя из этого компания сейчас трудится с производителями над созданием конечного продукта.Сначала Crossbar ориентируется на рынок встраиваемых совокупностей и лицензирует собственную разработку разработчикам ASIC, FPGA и SoC.

Появление первых образцов ожидается в начале 2015, а массовое производство до Января этого года либо в начале 2016. Не считая лицензирования Crossbar кроме этого заняты разработкой отдельных чипов плотности и высокой ёмкости, каковые должны выйти на рынок приблизительно через год по окончании встраиваемых RRAM ответов (ориентировочно в 2017).Привлекательность RRAM содержится в том, что данный вид памяти может производиться при помощи простого процесса CMOS только с маленькими модификациями.

NAND и особенно 3D NAND требуют специальных дорогостоящих инструментов, как раз исходя из этого только немногие компании смогут заниматься производством 3D NAND. RRAM, со своей стороны, может производиться фактически на любой полупроводниковой фабрике по окончании недорогого переоборудования, что в следствии приведет к понижению стоимостей и большей рыночной конкуренции.Помимо этого, литографические неприятности NAND не должны коснуться RRAM.

Как мы знаем, основная обстоятельство изобретения 3D NAND пребывала в том, что плоская NAND не отлично масштабируется на процессы ниже 15 нм, это ведет к понижению срока и производительности работы ячеек. RRAM возможно уменьшать до 4-5 нм без названных неприятностей, более того, в Crossbar уже продемонстрировали прототип 8-нм чипа, что они создали в собственной RD лаборатории.

В дополнение, RRAM возможно стекировать вертикально до трех слоев для повышения плотности, ко времени коммерческого выпуска отдельных чипов компания собирается увеличить количество слоев до 16, а плотность чипов до 1 Тбит.Очевидно, перед тем как разработка RRAM готовься полноценно соперничать с NAND, необходимо преодолеть пара препятствий, но весьма приятно слышать, что в разработке отмечается заметный прогресс и что разработкой заинтересовались производственные компании.Более стремительные, долговечные и дешёвые SSD и другие устройства хранения являются выигрышными для всех. направляться признать, что 3D NAND есть только временным ответом до момента прихода хорошей замены, которой вполне возможно может оказаться RRAM.

Случайная статья:

• Как сделать коллаж из фотографий?
• Как зарегистрироваться в itunes без кредитной карты?

11 НОЯБРЯ 2013: Пути коммерциализации высоких технологий

Похожие статьи:

• Технология флеш-памяти 3d nand

  Всем привет! Как вы понимаете, современная планарная флеш-память NAND практически исчерпала собственный потенциал. Основной её проблемой есть то, что…

• Рекламные технологии arduino mega server

  В последней версии Arduino Mega Server показалась ещё одна занимательная разработка, в частности, рекламно-маркетинговый движок, что открывает весьма…

• Стартапы и технологии из мира аудио: четыре любопытные новости

  #1 Стартап ClypВстречайте Clyp – приложение, которое позиционирует себя как Imgur для звуковых файлов. Основанный двумя студентами Техасского…